[20a-P4-1~71] 17 ナノカーボン（ポスター）

[20a-P4-59] Two-flow CVDによるMoSe₂薄膜成長

〇田崎 直也¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：層状物質、遷移金属ダイカルコゲナイド、化学気相成長

MoS₂やMoSe₂等の層状遷移金属ダイカルコゲナイドは、層数に依存した半導体特性を示し、新たな素子材料として期待されている。大面積薄膜合成には化学気相成長(CVD)法がよく用いられるが、従来方法では原料供給量の制御、安定化が困難であった。本研究ではMoSe₂薄膜を原料の供給口を完全に独立させ、原料安定供給を可能にしたCVD装置により成長し、反応条件が成長に与える影響の評価と条件の最適化を試みた。