[20a-P4-1~71] 17 ナノカーボン（ポスター）

[20a-P4-61] SiC 表面上のエピタキシャルグラフェン上へのBN 成長の検討

〇夏目 拓弥¹、村部 雅央¹、才田 隆広¹、成塚 重弥¹、丸山 隆浩¹ (1.名城大理工)

キーワード：窒化ホウ素

SiC表面分解法により作製したグラフェン上にCVD法を用いて、BNの直接成長を行うための検討を行った。