[20a-P4-1~71] 17 ナノカーボン（ポスター）

[20a-P4-64] SiC(2\sqrt{3}x2\sqrt{13})-Si上へのSn吸着

〇林 真吾¹、原 剣斗¹、安藤 寛¹、梶原 隆司¹、Visikovskiy Anton¹、田中 悟¹ (1.九大院工)

キーワード：Sn、SiC、低速電子線回折

SiによるSiC表面構造を制御し、その上にSnを層状に成長させることを試みた。その評価はSTM,LEEDを用いて行う。