PDF ダウンロード スケジュール 13 いいね! 1 コメント (0) 09:15 〜 09:30 [20a-S221-2] V-MOSFETにおけるSi/SiO2(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察 〇(M1)川内 伸悟1、白川 裕規1、洗平 昌晃2,1,5、影島 博之3,5、遠藤 哲郎4,5、白石 賢二2,1,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院総合理工、4.東北大院工、5.JST-ACCEL) キーワード:半導体、Si、V-MOSFET