[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[20a-S221-4] レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるシリコンMOS界面の評価

〇望月 敏光¹、伊藤 明²、中西 英俊²、棚橋 克人¹、川山 巌³、斗内 政吉³、白澤 勝彦¹、高遠 秀尚¹ (1.産総研、2.SCREENホールディングス、3.阪大レーザー研)

キーワード：テラヘルツ、MOS構造、表面ポテンシャル

ITO透明電極を有するSi-MOS構造試料にパルスレーザーを照射し、誘起されたTHz波形をレーザーテラヘルツ放射顕微鏡(LTEM)で観測し、併せてC-V測定により表面ポテンシャルを評価した。最も単純な近似では波形振幅が表面ポテンシャルに比例すると期待される。観測された結果ではLTEMの波形の最大振幅と表面ポテンシャルは強く相関し、フラットバンド電圧付近で符号を含めて急峻に変化する様子が見られた。