[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[20a-S221-9] La_2xA_2(1-x)O₃(A=Lu, Y)/La₂O₃/Ge(111) MIS構造におけるC-V特性の改善

〇金島 岳¹、銭高 真人¹、山本 圭介²、山城 陸¹、只野 純平³、野平 博司³、中島 寛²、山田 晋也¹、浜屋 宏平¹ (1.阪大基礎工、2.九大・産学連携センター、3.東京都市大工)

キーワード：Ge、ゲート絶縁膜、high-k

我々は，Ge(111)に原子マッチングするLa₂O₃結晶をGe基板上に直接成長させることで，GeO₂層のない良好な界面の形成を報告している．しかし，作製されたMIS構造のC-Vカーブに反時計回りのヒステリシスが見られ，界面付近にトラップが残留していることが示された．今回，La_2xA_2(1-x)O₃(A=Lu, Y)/La₂O₃/Ge(111)積層構造とすることで，大幅なC-Vヒステリシスの改善がみられたので報告する．