[20a-S223-1~7] 13.7 ナノ構造・量子現象

[20a-S223-3] 【注目講演】表面In(Ga)As量子ドット仕事関数の歪依存性

〇(M1)小林 知弘¹、高林 紘¹、Zhang Yuwei¹、山田 郁彦¹、神谷 格¹ (1.豊田工大)

キーワード：量子ドット、仕事関数

InAs 量子ドット（QD）のI-V特性はサイズを大きくすると金属的に振る舞うことが報告されており、この特性をナノ電極として応用する研究が行われている。このI-V特性はは表面InAs QD周囲に存在する仕事関数の小さな領域を分析することで解明されることが期待されている。本研究ではこの仕事関数が小さくなる領域の形成メカニズム解明のため、表面In(Ga)As QDの仕事関数を測定を行った。