The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

3 Optics and Photonics » 3.13 Semiconductor optical devices

[20a-S321-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

Sun. Mar 20, 2016 9:00 AM - 11:30 AM S321 (S3)

Masakazu Arai(Univ. of Miyazaki)

10:30 AM - 10:45 AM

[20a-S321-7] Amplification characteristics of the slow light SOA for boosting single-mode power of VCSEL

Masanori Nakahama1, Xiaodong Gu1, Takahiro Sakaguchi1, Akihiro Matsutani2, Fumio Koyama1 (1.P&I Lab., Tokyo Tech., 2.Technical Dept., Tokyo Tech.)

Keywords:VCSEL,SOA

面発光レーザ(VCSEL)の単一モード出力は,横モード制御の難しさから,数mW程度にとどまっている.これを数十mWレベルまで増大できれば,光コヒーレンストモグラフィやレーザレーダなどへの応用が期待できる.我々はこれまでに,VCSELとブラッグ反射鏡導波路に基づく半導体光増幅器(スローライトSOA)の集積構造を提案し,単一モード出力を増大できる可能性を示してきた.今回はスローライトSOAの増幅特性を実験的に評価したので報告する.