2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[20a-S321-1~10] 3.13 半導体光デバイス

2016年3月20日(日) 09:00 〜 11:30 S321 (南3号館)

荒井 昌和(宮崎大)

10:30 〜 10:45

[20a-S321-7] 面発光レーザの単一モード出力増大に向けたスローライトSOAの増幅特性

中濱 正統1、顧 暁冬1、坂口 孝浩1、松谷 晃宏2、小山 二三夫1 (1.東工大 精研、2.東工大 技術部)

キーワード:面発光レーザ、半導体光増幅器

面発光レーザ(VCSEL)の単一モード出力は,横モード制御の難しさから,数mW程度にとどまっている.これを数十mWレベルまで増大できれば,光コヒーレンストモグラフィやレーザレーダなどへの応用が期待できる.我々はこれまでに,VCSELとブラッグ反射鏡導波路に基づく半導体光増幅器(スローライトSOA)の集積構造を提案し,単一モード出力を増大できる可能性を示してきた.今回はスローライトSOAの増幅特性を実験的に評価したので報告する.