2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術

[20a-S422-1~12] 13.5 デバイス/集積化技術

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 S422 (南4号館)

齋藤 真澄(東芝)

09:00 〜 09:15

[20a-S422-1] 界面トラップ数の真の値とばらつき,および従来のチャージポンピング理論による値との比較

土屋 敏章1 (1.島根大総理工)

キーワード:半導体、界面トラップ、チャージポンピング

著者らはこれまで,従来のチャージポンピング(CP)理論の根幹である界面トラップ1個当たりの最大CP電流(ICPMAX)を固定値fqfはゲートパルス周波数,qは電子電荷)としているのは誤りであり,0~2fqの値をとることを実証してきた.そこで,実際に個々のMOSトランジスタに含まれる界面トラップ数の真の値を求め,そのばらつき,および,従来のCP理論に基づく値との比較を行った.