[20a-S422-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[20a-S422-10] 短チャネルMOSFETにおける、低電界移動度の異常劣化について

〇名取 研二¹ (1.東工大フロンテイア)

キーワード：MOSFET、低電界移動度、バリステイック移動度

短チャネルMOSFETにおいて、低電界移動度の値がチャネル長の微細化に伴って減少することは広く知られている。微細MOSFETにおけるキャリヤのバリステイック輸送が類似の効果をもたらすことが知られるが、実測される劣化はそれから予想されるものより著しく、その原因は明らかでなかった。本講演では、ドレイン電極が理想的振る舞いをせず、キャリヤをチャネルに逆散乱することに因ることを示す。