[20a-S422-1~12] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[20a-S422-12] Study of Dark Current Reduction of Back-side Illumination CMOS Image Sensor with Al₂O₃ fixed charge layer

〇MASAKI KAMIMURA¹, MASASHI YAMAGE¹, TATSUYA NAITO¹ (1.Toshiba Corp.)

Keywords:semiconductor,CMOS image sensor

裏面照射 (Backside illumination：BSI) 型CMOSイメージセンサは
同構造を形成する際の加工ダメージ起因などで発生する素子内の
電子の影響により、暗電流などの暗時特性が悪化することが知られている。
本検討では、固定電荷膜にAl₂O₃薄膜を適用させることで、従来使われる事の
多かったHfO₂薄膜を固定電荷膜とした場合に比べ
暗電流を低減することができたので、その結果を報告する。