[20a-S422-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[20a-S422-12] Al₂O₃固定電荷層適用における裏面照射型CMOSイメージセンサ暗電流低減についての検討

〇上村 昌己¹、山華 雅司¹、内藤 達也¹ (1.東芝)

キーワード：半導体、CMOSイメージセンサ

裏面照射 (Backside illumination：BSI) 型CMOSイメージセンサは
同構造を形成する際の加工ダメージ起因などで発生する素子内の
電子の影響により、暗電流などの暗時特性が悪化することが知られている。
本検討では、固定電荷膜にAl₂O₃薄膜を適用させることで、従来使われる事の
多かったHfO₂薄膜を固定電荷膜とした場合に比べ
暗電流を低減することができたので、その結果を報告する。