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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／集積化技術

[20a-S422-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 S422 (南4号館)

齋藤真澄(東芝)

11:00 〜 11:15

△ [20a-S422-8] SiおよびGeナノワイヤにおける高電界正孔輸送の解析

〇田中一¹、須田淳¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：ナノワイヤ、高電界、ドリフト速度

　　　