[20a-S423-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20a-S423-8] MEMS可変単結晶シリコン回折格子のLSI回路上への集積

〇佐々木 敬¹、鈴木 智大¹、松浦 寛²、羽根 一博¹ (1.東北大工、2.東北学院大工)

キーワード：MEMS、LSI、可変回折格子

MEMS型の空間光変調器は偏光依存性が無く応答が高速であるため注目されている。空間光変調器の画素数は多いほうが好ましいため、LSI上へのMEMS型空間光変調器の集積の研究開発が進められている。しかし、報告は非常に少なく、製作プロセスの開発やデバイスの特性評価が十分でない。可変単結晶シリコン回折格子のLSI回路上への集積プロセスの開発と評価を行ったので報告する。