[20a-S621-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

[20a-S621-6] 多層光回路に向けた層間伝送用トライデント型結合器の提案と実証

〇(M1)伊東 憲人¹、久能 雄輝¹、林 侑介¹、鈴木 純一¹、雨宮 智宏¹、西山 伸彦¹、荒井 滋久¹ (1.東工大)

キーワード：多層光回路、アモルファスシリコン、トライデント

LSI 上の光配線において、CMOS 層にダメージを与
えない300℃以下で成膜が可能な水素化アモルファス
Si (a-Si:H)を用いた多層光回路が有効である。われわれ
は、その層間信号伝送用デバイスとして層間距離無依
存な金属ミラーを装荷した高効率グレーティングカ
プラを実現した[1] [2]。一方、1 μm 程度の隣接層間距
離に対しては、より簡素な構造であるトライデント型
構造を用いることを提案する。今回はこの構造におけ
る層間距離1 μm の素子設計と特性評価を行ったので、
ご報告する。