2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

[20a-W241-1~12] 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 W241 (西2・3号館)

小山 知弘(東大)

10:15 〜 10:30

[20a-W241-6] Fabrication of a perpendicular-MTJ by utilizing an Ir/Co stack

薬師寺 啓1,2、久保田 均1、福島 章雄1、湯浅 新治1 (1.産総研、2.さきがけ)

キーワード:STT-MRAM

To realize high scalability of STT-MRAM, we attempted to achieve high i-PMA by merging two i-PMA at both cobalt-on-iridium (Ir/Co) and FeB/MgO interface. The storage layer attains K_eff-t of above 0.9 erg/sqcm. Such high PMA is suitable for pushing STT-MRAM technology beyond the 20-nm node. At the same time, high magnetoresistance ratio (~100%) and low resistance-area product (~3 ohm-squm) were also achieved.