[20a-W242-1~11] 12.1 作製・構造制御

△ [20a-W242-6] 窒素添加LaB₆界面層によるp型ペンタセンOFETの界面制御

〇(M2)前田 康貴¹、大見 俊一郎¹、後藤 哲也²、大見 忠弘² (1.東工大総理工、2.東北大未来研)

キーワード：ペンタセン、LaB6

前回までに我々は、窒素添加LaB₆薄膜上におけるペンタセン堆積について検討を行い、堆積条件の最適化により良好なペンタセン薄膜を形成できることを報告した。今回、窒素添加LaB₆薄膜をp型ペンタセンOFETの界面層として導入し、デバイス特性に関する検討を行ったので報告する。