[20a-W351-1~12] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[20a-W351-5] らせん状ポリイソシアニドを用いたReRAMの動作機構解析

〇櫻川 康志¹、高木 遊学²、井改 知幸²、酒井 平祐¹、前田 勝浩²、村田 英幸¹ (1.北陸先端大マテリアル、2.金沢大学)

キーワード：抵抗変化型不揮発性メモリ、らせん状ポリイソシアニド、エミッション顕微鏡