[20a-W611-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [20a-W611-2] 化学的転写法による極低反射表面と裏面ナノ構造を用いた
結晶Si太陽電池の変換効率向上

〇鬼塚 裕也^1,2、入鹿 大地^1,2、今村 健太郎^1,2、小林 光^1,2 (1.阪大産研、2.CREST-JST)

キーワード：結晶シリコン太陽電池、低反射表面、ウェットプロセス

我々は、化学的転写法(Surface Structure Chemical Transfer (SSCT))という方法で、シリコン表面の反射率を3％以下に極低化させ、pn接合を形成することで、反射防止膜を形成しなくても18%以上の高い変換効率が達成できることを示してきた。
本研究ではウェットプロセスで単結晶、多結晶シリコンいずれにも凹凸構造を作製し、光閉じ込め効果を得られるプロセスを検討した。この構造を裏面に作製し、表面にSSCT処理を施したpn接合太陽電池で変換効率19%以上が得られた。