[20p-H101-1~21] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-H101-10] Improvement of 4H-SiC(0001) MOS characteristics by ultra-high-temperature-oxidation with rapid cooling process

〇Mitsuru Sometani^1,2, Daisuke Nagai¹, Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.Fuji electric)

Keywords:SiC,MOS

SiC-MOSの界面特性改善プロセスとして超高温酸化と急速冷却プロセスの検討を行った。超高温で酸化膜を形成後に急速冷却をすることで、降温過程における低温酸化を抑制し、界面準位密度が低減できることがわかった。