[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-H101-10] 超高温酸化と急速冷却によるSiC-MOS 界面特性改善

〇染谷 満^1,2、永井 大介¹、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.富士電機)

キーワード：SiC、MOS

SiC-MOSの界面特性改善プロセスとして超高温酸化と急速冷却プロセスの検討を行った。超高温で酸化膜を形成後に急速冷却をすることで、降温過程における低温酸化を抑制し、界面準位密度が低減できることがわかった。