[20p-H101-1~21] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [20p-H101-18] Modeling and characterization of SiC-MOSFET with interface state density

〇Aiko Kunisaki¹, Junichi Hasegawa¹, Takayuki Iwasaki¹, Munetaka Noguchi², Masayuki Furuhashi², Hiroshi Watanabe², Shuhei Nakata², Tetsuo Kodera¹, Mutsuko Hatano¹ (1.Tokyo Tech, 2.Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation)

Keywords:SiC-MOSFET,Model,interface states

SiC-MOSFETは実用化のステージに入っているが、SiO₂/SiC界面準位がMOSFETの性能と信頼性に悪影響を与えると考えられている。本研究では、横型および縦型のSiC-MOSFETの伝達特性と界面準密度の相関を明らかにするために、実測した界面準位密度を取り入れたモデルを構築した。移動度・界面固定電荷密度をパラメーターとして、横型SiC-MOSFETの伝達特性を再現した。また、縦型SiC-MOSFETのシミュレーション結果は、測定結果に対してしきい値が約-1V、オン電流が0.85倍となった。