[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-H101-2] 超高耐圧パワーデバイス用4H-SiC C面エピタキシャル成長の検討

〇西尾 譲司^1,2、櫛部 光弘^1,2、浅水 啓州^2,3、北井 秀憲²、児島 一聡² (1.東芝　研開センター、2.産総研、3.ローム)

キーワード：炭化珪素、エピ、C面

従来、困難と考えられていたC面でのバックグラウンドキャリア濃度の低減検討を行い、成長パラメタの影響度を調査し、10¹³cm^-3台の濃度を再現性良く実現すること成功した。また少数キャリアライフタイム向上に関する検討も併せて行った。