[20p-H101-1~21] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-H101-20] Dynamic characterization of threshold voltage shift corresponding to actual application

〇Mitsuo Okamoto¹, Mitsuru Sometani^1,2, Shinsuke Harada¹, Hiroshi Yano³, Hajime Okumura¹ (1.AIST, 2.Fuji electric Co.Ltd, 3.Univ. Tsukuba)

Keywords:MOSFET,Vth instability,Vth shift

我々はVth変動評価方法として、VgスイープせずにVth測定をストレス印加と同時に行う測定（緩和無し法）を提案してきたが、ストレス印加初期の変動を見落としているという問題があった。本研究では、高速IV測定装置を用いた緩和無し測定を行うことにより、変動初期の正確な評価を試みた。さらにMOSデバイスの実動作を鑑み、ACストレス印加時のVth変動を高速測定によって動的に観察した。