[20p-H101-1~21] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-H101-6] Surface recombination for 4H-SiC contacting with aqueous solutions

〇Yoshihito Ichikawa¹, Masashi Kato¹, Masaya Ichimura¹ (1.NIT)

Keywords:SiC,surface recombination,aqueous solutions

SiCは超高耐圧バイポーラデバイスもしくは水素生成用光電極などへの応用が期待されている。それらの応用においてキャリアライフタイムはデバイス性能を左右する重要なパラメータであり、表面再結合はキャリアライフタイムに影響を与える現象である。本研究ではSiCの表面状態と表面再結合速度との関係を明らかにするために、様々なpHの水溶液と接触させた4H-SiCに対してキャリアライフタイムの測定を行った。