[20p-H101-1~21] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-H101-8] Electron-spin-resonance study on nitrided MOS interfaces of epitaxial 4H-SiC substrates

〇Takahide Umeda¹, Yohei Kagoyama¹, Takafumi Okuda², Jun Suda², Tsunemasa Kimoto², Ryoji Kosugi³, Mitsuo Okamoto³, Shinsuke Harada³ (1.Univ. of Tsukuba, 2.Kyoto Univ., 3.AIST)

Keywords:SiC-MOS interface,nitrogen doping,ESR

4H-SiC/SiO₂界面の窒化処理は4H-SiC MOSFETの特性改善に標準的に用いられている。その要因の１つに窒素ドーピングが挙げられており、電流検出ESR（電子スピン共鳴）や走査型容量顕微鏡によって確かめられている。私達はESR法によって窒素ドナーの直接定量に取り組んでおり、今回は残留窒素濃度の低いエピタキシャル基板を使用することで精度を1桁向上させた定量を行ったので報告する。