[20p-H112-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[20p-H112-11] TLZ法を利用した均一組成バルクSiGe結晶（1）大口径化と高品質化

〇木下 恭一¹、荒井 康智¹ (1.宇宙航空研究開発機構)

キーワード：SiGe混晶、バルク結晶、基板

JAXAでは、Traveling Liquidus Zone (略称TLZ) 法という新しい結晶成長方法を考案し、均一組成のSiGeバルク混晶育成に成功した。これまで高速電子デバイス用基板製造を目指して結晶の大型化を進めてきたが、この度２インチ径までの大型化と結晶の高品質化を実現したので報告する。