[20p-H112-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [20p-H112-4] 分子動力学法および分子軌道法を用いたSiGe混晶内のフォノン再現に関する考察

〇富田 基裕^1,2,3、小椋 厚志²、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.明大理工、3.学振特別研究員PD)

キーワード：半導体、分子動力学法、SiGe

本研究ではラマン分光法による歪IV-IV族混晶半導体評価手法を確立させる第一歩として、分子動力学(MD)法と分子軌道(MO)法によるSiGe混晶内のポテンシャルの検討と格子定数およびフォノン物性の再現を行った。SiGe混晶のフォノン振動数と格子定数、Pure-SiとPure-Geのフォノン変形ポテンシャルについて計算結果と実験値を比較した結果、3体ポテンシャルを用いたMD計算によってSiGe混晶のフォノン物性予測がある程度立てられる事を示せたと考える。