[20p-H137-1~15] 7.5 Ion beams

[20p-H137-15] Investigation of Surface Activation Wafer Bonding with Gas Cluster Ion Beam

〇Tomoya Sasaki¹, Noriaki Toyoda¹, Isao Yamada¹ (1.Univ. of Hyogo)

Keywords:Bonding

各種材料を低温接合できる手法が注目されている。その一つである表面活性化接合を行うイオンとして、低エネルギーイオンビームが実現できるGCIBを用いることを検討するため、対向する試料へ同時にGCIBを斜め照射可能な機構を設置した。照射表面のXPS分析から入射角度を傾けるほど表面酸化膜の除去が可能であることがわかった。今後AFM測定、引張試験を行う予定である。