2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20p-P13-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2016年3月20日(日) 16:00 〜 18:00 P13 (屋内運動場)

16:00 〜 18:00

[20p-P13-12] スパッタ法による窒素ドープFeSi2薄膜の作製とその電気特性

馬場 隆司1、岸本 紘宗1、〇吉武 剛1 (1.九州大学総理工)

キーワード:鉄シリサイド、窒素添加、ナノ微結晶

ナノ微結晶FeSi2に対して窒素添加を行い,電気特性および光学特性に及ぼす効果を調べた.