[20p-P13-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20p-P13-7] β-FeSi₂/Siヘテロエピタキシャル構造のイオンチャネリング

〇前田 佳均¹、寺井 慶和¹、鳴海 一雅² (1.九工大、2.原子力機構)

キーワード：β-FeSi2、イオンチャネリング、ヘテロエピタキシャル成長

β-FeSi₂/Si(111)ヘテロエピタキシャル構造のイオンチャネリングを検討した。Si<111>軸チャンネリングが起こることが分かった．界面で最小収量から得られた平均原子変位は，非常に大きな値となった．この理由としてはSi<111>軸方向の界面でのβの原子配列そのもの違いや結晶軸の傾角分布，面内ドメインのモザイク成長によるなどが考えられる。