[20p-P14-1~23] 13.10 化合物太陽電池

[20p-P14-8] 種々の温度で合成したCu₂ZnSnSe₄ナノ粒子の光学特性

〇鈴木 俊正¹、鈴木 吏²、堀 茂雄²、野々村 修一² (1.JFCC、2.岐阜大工)

キーワード：化合物半導体、ナノ粒子、Cu2ZnSnSe4

Cu₂ZnSnSe₄(CZTSe)は、構成元素の比率を変えることで、光学バンドギャップも変化することが報告されている。本研究では、種々の温度で合成したCZTSeナノ粒子の光学特性への影響を調べた。反応温度が150-300^oCで合成した粒子はすべて、CZTSeナノ粒子であった。合成した粒子の光学バンドギャップは、反応温度によってバンドギャップが異なる。EDXから求めた組成は、反応温度の増加と共にCu組成は減少し、Zn組成が増加傾向を示した。この結果から、このバンドギャップの変化はCu及びZnの組成の変化によるものだと示唆される。合成温度が上がるにつれて、CuサイトにZnが入ることで、欠陥準位が禁制帯中に形成され、バンドギャップが変化したのだと考えられる。