[20p-P16-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

△ [20p-P16-4] 高密度GaSbドットを用いたSi(100)基板上のGaSb薄膜成長

〇(DC)町田 龍人¹、戸田 隆介¹、藤川 紗千恵¹、原 紳介²、渡邊 一世²、赤羽 浩一²、笠松 章史²、藤代 博記¹ (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)

キーワード：GaSb、Si(100)、MBE