[20p-P16-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[20p-P16-6] As₂分子線を用いて成長したInAs-QDによる電流注入型広帯域光源

〇林 佑真¹、尾崎 信彦¹、大河内 俊介²、大里 啓孝³、渡辺 英一郎³、池田 直樹³、杉本 喜正³ (1.和歌山大シス工、2.NEC、3.物材機構)

キーワード：InAs量子ドット、広帯域光源、近赤外光