[20p-P16-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[20p-P16-9] 分子線エピタキシーによるSi(111) 基板上GaAs/GaAsBiコア-シェルナノワイヤ成長

〇石川 史太郎¹、赤松 良彦¹、渡辺 健太郎²、上杉 文彦³、朝比奈 俊輔⁴、Jahn Uwe⁵、下村 哲¹ (1.愛媛大院理工、2.阪大基礎工、3.物材機構、4.日本電子、5.Paul Drude Institut)

キーワード：ナノワイヤ、GaAs