[20p-P7-1~20] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[20p-P7-8] Si/Geコアシェルナノワイヤ中の結晶性およびドーピング制御

〇西部 康太郎^1,2、Jevasuwan Wipakorn²、Subramani Thiyagu²、武井 俊朗²、深田 直樹^1,2 (1.筑波大院、2.物材機構)

キーワード：ナノワイヤ

我々のグループではSiとGeを用いた一次元のコアシェルナノワイヤからなる構造を利用することで、不純物のドーピング領域とキャリアの輸送領域を分離した構造を構築し、不純物散乱を抑制した新しい高移動度チャネルの形成を目指している。上述のデバイス実現にむけて、Si/Geコアシェルナノワイヤの結晶性評価に関する実験を行い、Geシェル成長時間の増大とともにGeシェル層の結晶性が改善されることが分かった。