[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-P9-1] 表面リセス型電極構造を用いたAlGaN系PIN型UVフォトダイオードの作製および特性評価

〇岡田 真由子¹、宮地 祐太¹、三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：半導体、フォトダイオード