[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-P9-10] CF₄ プラズマ処理したn-GaN 膜の電気的評価

〇中野 由崇¹、坂井 佑輔¹、新部 正人²、川上 烈生³ (1.中部大、2.兵庫県立大、3.徳島大)

キーワード：窒化物半導体、プラズマダメージ、CF4