The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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13 Semiconductors » 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[20p-P9-1~22] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

Sun. Mar 20, 2016 1:30 PM - 3:30 PM P9 (Gymnasium)

1:30 PM - 3:30 PM

[20p-P9-12] Anodic oxidation of GaN surface utilizing photoelectrochemical reactions

Masaaki Edamoto1, Yusuke Kumazaki1, Taketomo Sato1 (1.Hokkaido Univ. RCIQE)

Keywords:anodic oxidation

GaN表面の陽極酸化は、一般にバンドギャップ以上のエネルギーを持つ光(hn > 3.4eV: Eg)を反応表面へ照射しながら行われる。本研究では、陽極酸化膜厚の精密な制御と反応過程の詳細を明らかにするため、単色光の波長および入射方向を変えながら陽極酸化を行った。