13:30 〜 15:30
[20p-P9-12] 光電気化学反応を利用したGaN表面の陽極酸化
キーワード:陽極酸化
GaN表面の陽極酸化は、一般にバンドギャップ以上のエネルギーを持つ光(hn > 3.4eV: Eg)を反応表面へ照射しながら行われる。本研究では、陽極酸化膜厚の精密な制御と反応過程の詳細を明らかにするため、単色光の波長および入射方向を変えながら陽極酸化を行った。
一般セッション(ポスター講演)
13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
2016年3月20日(日) 13:30 〜 15:30 P9 (屋内運動場)
13:30 〜 15:30
キーワード:陽極酸化