2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年3月20日(日) 13:30 〜 15:30 P9 (屋内運動場)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-12] 光電気化学反応を利用したGaN表面の陽極酸化

枝元 将彰1、熊崎 祐介1、佐藤 威友1 (1.北海道大量集セ)

キーワード:陽極酸化

GaN表面の陽極酸化は、一般にバンドギャップ以上のエネルギーを持つ光(hn > 3.4eV: Eg)を反応表面へ照射しながら行われる。本研究では、陽極酸化膜厚の精密な制御と反応過程の詳細を明らかにするため、単色光の波長および入射方向を変えながら陽極酸化を行った。