[20p-S011-9~20] 17.2 Graphene

[20p-S011-15] In-situ observation of nucleation and substrate morphology in CVD growth of graphene

〇Takanobu Taira¹, Tomoo Terasawa², Seiji Obata³, Koichiro Saiki^1,3 (1.Sch. of Sci., The Univ. of Tokyo, 2.Div. of Mater. Sci., Univ. of Tsukuba, 3.Grad. Sch. of Frontier Sci., The Univ. of Tokyo)

Keywords:graphene,CVD

グラフェンCVDにおいて、原料であるCH₄の供給と停止によってグラフェンの成長と除去が起こる。Cu単結晶を基板に用いて、基板の加熱・グラフェン成長・除去を繰り返し、グラフェンの核密度を熱放射光学顕微法によりin-situで観察した。このとき基板を一定時間毎に照明することで基板表面の反射光光学顕微鏡像も撮影し、基板表面の形状もin-situで観察した。これらの結果からグラフェンの核密度と基板表面の形状の相関を評価した。