[20p-S011-9~20] 17.2 グラフェン

[20p-S011-15] グラフェンCVD成長における核発生と基板形状のin-situ観察

〇平良 隆信¹、寺澤 知潮²、小幡 誠司³、斉木 幸一朗^1,3 (1.東大理、2.筑波大数理、3.東大新領域)

キーワード：グラフェン、化学気相成長法

グラフェンCVDにおいて、原料であるCH₄の供給と停止によってグラフェンの成長と除去が起こる。Cu単結晶を基板に用いて、基板の加熱・グラフェン成長・除去を繰り返し、グラフェンの核密度を熱放射光学顕微法によりin-situで観察した。このとき基板を一定時間毎に照明することで基板表面の反射光光学顕微鏡像も撮影し、基板表面の形状もin-situで観察した。これらの結果からグラフェンの核密度と基板表面の形状の相関を評価した。