[20p-S011-1~8] 13.10 Compound solar cells

[20p-S011-4] Reduction of dark current in inverted GaInAsP thin film solar cells with 1.0 eV bandgap

〇Ryuji Oshima¹, Kikuo Makita¹, Takeshi Tayagaki¹, Takeyoshi Sugaya¹ (1.AIST)

Keywords:III-V compound semiconductor,Solar cells,Molecular beam epitaxy

高品質なIII-V太陽電池では注入キャリアによる発光再結合の暗電流への寄与が無視できない。発光したフォトンを効果的にセルから取り出せた場合、暗電流が減少し開放電圧を増大させることができる。本発表ではGaInAsP (1.05 eV)のセル特性の向上を目的として、Si支持基板に転写した逆積み薄膜セルを検討した結果について報告する。従来型n/pセルの開放電圧0.54 Vに対して、逆済み薄膜セルでは暗電流が減少し開放電圧が0.60 Vに増大した。