2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.10 化合物太陽電池

[20p-S011-1~8] 13.10 化合物太陽電池

2016年3月20日(日) 13:30 〜 15:30 S011 (南講義棟)

渡辺 健太郎(東大)

14:45 〜 15:00

[20p-S011-6] 超高効率多接合太陽電池作製に向けた表面活性化接合界面の評価

山下 大之1、渡辺 健太郎1、藤野 真久1、星井 拓也1,2、杉山 正和1、岡田 至崇1,2、須賀 唯知1、中野 義昭1 (1.東大院工、2.東大先端研)

キーワード:表面活性化接合、多接合太陽電池

多接合太陽電池の更なる高効率化のために半導体ウエハを機械的に接合し、結晶成長では困難であった材料の積層を行う研究が注目されている。表面活性化接合は常温で半導体ウエハ等の接合を可能にする技術であるが、接合界面に導入される結晶欠陥により接合界面の電気抵抗が上昇することが知られている。本研究では接合界面付近に存在する欠陥密度とその深さ方向分布を測定することに成功し、これを電気抵抗と結びつけて考察する。