[20p-S222-1~17] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20p-S222-10] 低貫通転位密度Zn極性ZnOホモエピタキシャル薄膜への3d遷移金属添加によるキャリア寿命制御

〇秩父 重英¹、小島 一信¹、山崎 芳樹¹、古澤 健太郎¹、上殿 明良² (1.東北大多元研、2.筑波大物理工)

キーワード：酸化亜鉛、時間分解フォトルミネッセンス、発光寿命

Ni、Mnを添加した低貫通転位密度Zn極性ZnOエピタキシャル薄膜のバンド端自由励起子(FE)発光の発光寿命の遷移金属濃度依存性から励起子の捕獲断面積を求める。また、FE発光の極低温と室温の強度比の発光寿命依存性から、非輻射再結合中心濃度について議論する。