[20p-S222-1~17] 21.1 Joint Session K

△ [20p-S222-2] Surface morphology control of (ZnO)_x(InN)_1-x films fabricated by RF magnetron sputtering

〇Kouichi Matsushima¹, Tomoaki Ide¹, Daisuke Yamashita¹, Hyunwoong Seo¹, Kazunori Koga¹, Masaharu Shiratani¹, Naho Itagaki¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:oxynitride,sputtering,ZnInON

太陽電池や発光デバイス等の光電子デバイス材料として，バンドギャップ制御可能な半導体材料が注目されている．このような材料として，筆者等はZnOとInNの擬2元系混晶である(ZnO)_x(InN)_1-x を開発している．本研究では，0.7%の格子不整合率を有するZnOテンプレート上にエピタキシャル(ZnO)_x(InN)_1-x膜を作製し，基板温度が(ZnO)_x(InN)_1-x膜の結晶成長様態に与える影響を調べた結果を報告する．