[20p-S222-1~17] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20p-S222-4] c 面サファイア基板上V添加ZnO薄膜の初期成長初期過程

〇兼松 知弘¹、千葉 博²、川島 知之²、鷲尾 勝由² (1.東北大工、2.東北大院工)

キーワード：酸化亜鉛、結晶成長、バナジウム