[20p-S222-1~17] 21.1 Joint Session K

△ [20p-S222-8] Electronic state of highly resistive ZnO films grown by nonequilibrium plasma generated near atmospheric pressure

〇Yukinori Nose¹, Takuya Kiguchi¹, Hironori Iwasaki¹, Takeshi Yoshimura¹, Atsushi Ashida¹, Tsuyoshi Uehara², Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Prefecture Univ., 2.Sekisui Chemical Co., Ltd.)

Keywords:ZnO,Nonequilibrium plasma generated near atmospheric pressure,Electronic state

ZnOのデバイス応用の問題点として顕在化している高い残留電子濃度を低減するため、強い酸化力を有する活性種を高密度に生成できる常圧非平衡プラズマCVD装置を試作し、10⁶ Ohm cmを超える高抵抗ZnO薄膜の低温形成が可能であることを報告してきた。講演では、高抵抗ZnO薄膜の熱刺激電流測定やその電子状態の評価を通して、本プロセスが残留ドナー濃度の低減や窒素ドーピングに対してどのような役割を果たしているかを議論する。