[20p-S222-1~17] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [20p-S222-8] 常圧非平衡プラズマを用いて作製した高抵抗ZnO薄膜の電子状態

〇野瀬 幸則¹、木口 拓也¹、岩崎 裕徳¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、上原 剛²、藤村 紀文¹ (1.阪府大院工、2.積水化学)

キーワード：酸化亜鉛、常圧非平衡プラズマ、電子状態

ZnOのデバイス応用の問題点として顕在化している高い残留電子濃度を低減するため、強い酸化力を有する活性種を高密度に生成できる常圧非平衡プラズマCVD装置を試作し、10⁶ Ohm cmを超える高抵抗ZnO薄膜の低温形成が可能であることを報告してきた。講演では、高抵抗ZnO薄膜の熱刺激電流測定やその電子状態の評価を通して、本プロセスが残留ドナー濃度の低減や窒素ドーピングに対してどのような役割を果たしているかを議論する。